Оксид кремния II

Оксид кремния II (монооксид кремния) SiO — смолоподобное аморфное вещество, при обычных условиях устойчиво к действию кислорода. Относится к несолеобразующим оксидам.

В природе

Газообразный моноксид кремния обнаружен в межзвёздных газопылевых облаках и солнечных пятнах. На Земле SiO не встречается.

Физические свойства

Температура плавления 1702 °C (3096 °F; 1975 K), температура кипения 1880 °C (3420 °F; 2150 K).

Химические свойства

• При нагревании на воздухе оксид кремния II частично окисляется.
• При 500 °C взаимодействует с водяным паром и углекислым газом CO₂, с образованием водорода H₂ и СО.
• При 800 °C реагирует с хлором, образуя тетрахлорид кремния SiCl₄.

Получение

Моноксид кремния можно получить, нагревая кремний в недостатке кислорода при температуре выше 400 °C:

 2 Si + O₂ → 2 SiO

Также SiO образуется при восстановлении SiO₂ кремнием при высоких температурах (например, на поверхности тигеля при производстве монокристаллического кремния методом Чохральского):

 SiO₂ + Si → 2 SiO

Применение

Моноксид кремния — материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптических слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике. Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением кремния в кислородной плазме.